该发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，公开了一种铈基配合物空穴掺杂剂及钙钛矿太阳能电池制备方法，本发明在室温下将一定量的Ce(TFSI)＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;和tBP混合溶于乙腈然后蒸干溶剂以制备Ce(tBP)＆lt;subgt;m＆lt;/subgt;(TFSI)＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;铈基配合物空穴掺杂剂，将Ce(tBP)＆lt;subgt;m＆lt;/subgt;(TFSI)＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;铈基配合物空穴掺杂剂与Spiro‑OMeTAD共混溶于氯苯得到Ce(TFSI)＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;间接掺杂的Spiro‑OMeTAD/氯苯溶液，旋涂制作n‑i‑p结构钙钛矿太阳能电池的空穴传输层。本发明可解决钙钛矿太阳能电池空穴传输层中Ce(TFSI)＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;吸湿、Ce＆lt;supgt;3+＆lt;/supgt;向钙钛矿层迁移扩散、tBP挥发等负面问题，极大提高钙钛矿太阳能电池寿命。

申请号：CN202410126868.X

授权公告号：CN117645622B

授权公告日：2024.04.09

发明人：韩飞  王玲玲  邹俊华  范敏  陈伟  胡银

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